室温常压晶态ZnO纳米片制备及其高效NH3气敏传感
室温常压晶态ZnO纳米片制备及其高效NH3气敏传感https://link.springer.com/article/10.1007/s40145-022-0592-4氧化锌 (ZnO) 由于其具有优异的物理化学特性被认为是最重要的第三代半导体之一,如高的电子迁移率、宽禁带直接带隙 (3.37 eV)、室温下大的激子结合能 (60 meV)、以及高机械和热稳定性,使其在高效短波长光电器件中具有广泛的应用。同时其独特的压电和热电特性使其可以用于压电传感器、能量收集等装置。此外,其固有的...