1.研究背景

与传统的卤化铅钙钛矿相比，Cs₂B^IB^IIIX₆ 双钙钛矿具有环保、低陷阱密度、可调带隙、可变组成元素和价态等优势，在先进光电器件领用应用前景可期。然而，纯Cs₂B^IB^IIIX₆双钙钛矿存在带隙类型、宇称禁戒跃迁、发光效率低、能量转移机制不明确等问题，限制了其商业化应用。经B^I位和B^III位离子掺杂，Cs₂B^IB^IIIX₆双钙钛矿电子结构和光学性质得到显著优化，有望在发光二极管、防伪加密和X射线闪烁等光电领域广泛应用。

2.论文概述

团队围绕Cs₂B^IB^IIIX₆双钙钛矿材料研究进行了系统综述，重点论述了B^I和B^III位阳离子掺杂对该双钙钛矿材料的电子结构和光学性质的影响与规律，深入阐述了掺杂对能带、光吸收、激子局域、能量转移机制、缺陷密度、稳定性和发光效率等方面的调控及机理，全面总结了掺杂Cs₂B^IB^IIIX₆双钙钛矿材料在发光二极管、防伪加密、X射线闪烁体和光热测量等光电子器件应用进展，并展望了Cs₂B^IB^IIIX₆双钙钛矿光电器件未来研究方向和挑战。

该项成果以题为“Cation-DopedCs₂B^IB^IIIX₆ Double Perovskites: Electronic Structures, Optical Properties, and Optoelectronic Applications”发表在光学领域的国际权威期刊Advanced Optical Materials。(Adv. Optical Mater. 2024, 2401347,https://doi.org/10.1002/adom.202401347)