碳化硅半导体重点实验室主要依托宁波工程学院微纳材料与器件创新团队建设。团队成立于2009年，历经15年发展，现为“浙江省高校高水平创新团队”。实验室主任杨为佑博士，为乌克兰工程院外籍院士、英国皇家化学会会士、享受国务院特贴、浙江省有突出贡献中青年专家、宁波市顶尖人才。

实验室现有核心师资26人，其中具有博士学位的23人，含正高5人、副高11人、中国科学青年托举人才1人、“浙江省高校领军人才”5人、“宁波市领军和拔尖人才”7人、宁波市甬江人才3人。实验室先后主持宁波市顶尖人才项目1项、973计划前期专项1项、国家基金近20项等，迄今在Nat. Nanotechnol.、Chem.、PNAS、Prog. Mater. Sci.、Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Angew.Chem.Int.Ed.等发表SCI论文200余篇(IF>10的80余篇)，授权国家发明专利100余件，应邀撰写国际学术专著1部、专著章节2部，获省市自然科学(政府奖)奖4项。

实验室拥有面积2000余平米科研场地，仪器设备总值6000余万元，具备较为完善的SiC半导体新材料与器件研发平台。实验室围绕装备智能化、晶体生长新理论和新工艺开展研究工作，推进6英寸及以上大尺寸低缺陷密度SiC衬底材料研发及其产业化。