校园新闻网讯  近日，宁波市科技局公布了2023年度宁波市重点实验室（A类）认定名单，我校微纳材料与器件创新研究院申报的“宁波市碳化硅半导体重点实验室”喜获批。

第三代半导体是关系国家经济和安全等重要领域的前沿科技，也是助力“碳达峰、碳中和”全局目标实现的重要支撑技术，广泛应用在新能源汽车、5G通讯、智能电网、高铁、固态照明等领域。SiC有望成为未来被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料，满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化需求，总市场规模达万亿级，发展前景广阔。

SiC衬底尺寸越大，下游器件的制造效率越高、单位成本越低。因此，在推进SiC功率芯片商业化应用中，如何制备大尺寸高品质衬底是核心要素之一，其成本约占总器件的60%。国际上，代表性公司有美国Wolfspeed、美国II-VI、德国 SiCrystal、德国Infineon、日本Rohm、欧洲的意法半导体(ST Microelectronics)、日本三菱(Mitsubishi)，这几家大公司占国际市场~90%。美国居于领导地位，占有全球SiC 产量的70%-80%，仅Wolfspeed一家占据了导电型SiC衬底全球市场的60%，并已宣布8英寸SiC衬底量产。在国内，SiC衬底以4~6英寸SiC衬底为主，8英寸SiC衬底的研发有少量报道。总体而言，在大尺寸高品质SiC衬底领域，我国和国外尚有不少差距，是国家卡脖子战略性科技问题，亟待发展。

宁波市碳化硅半导体重点实验室聚焦大尺寸高品质SiC衬底研发，努力形成一批原创理论和技术研究成果，集聚一批高层次人才，培养一批高素质专业人才，服务国家、浙江省和宁波市重大战略需求，将实验室建设成为SiC半导体领域的学术研究高地、技术转化基地和人才培养基地。