材料学院微纳米结构与器件团队研究成果

国际著名期刊以封面论文发表

校园新闻网讯在国际著名期刊以封面论文发表，影响因子达6.1，如此高水平的研究成果，不要说我校最为重大，就是在浙江省也是凤毛麟角。这些，被材料学院微纳米结构与器件团队做到了，他们的论文《硼掺杂碳化硅纳米线的高效场发射性能》，被英国皇家化学学会期刊《材料化学》选中，并作为亮点论文发表。

碳化硅是第三代宽带隙半导体材料，具有高电子漂移速率、高热导率、高电子迁移率、较高击穿电压，以及良好的力学性能和化学稳定性，在用于高温、高频和高辐射以及大功率等苛刻服役条件下的半导体器件具有显著优势。与传统体材料相比，纳米尺度下的碳化硅低维结构具有优异的场发射性能，在真空显示等领域展现出广阔的应用前景。

硼掺杂碳化硅纳米线晶体结构示意图和电子发射效果图

如何获得更低的开启电场和更高的电子发射稳定性，是碳化硅场发射阴极材料研发的困难和挑战。近日，“微纳米结构与器件”团队通过对材料制备工艺的优化设计，实现了碳化硅低维纳米结构生长的精细控制，大幅度提高了其场发射性能。并首次揭示了其高温电子发射稳定性，证实了通过硼掺杂，能够有效改善碳化硅低维纳米材料的高温电子发射稳定性。